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CASTEP计算理论总结

一， CASTEP中周期性结构计算优点?|G&V
Z5_2{G$s-B
平面波基组（Plane wave basis set）n$X3C(J @,l
有限平面波基组的校正
5KV(y0I-zMR yV 非定域交换-相关泛函
@&U c9qW7N 规范保守赝势和超软赝势关.Jo}$Mrb%~bs
几种常见的赝势形式及表达式
s9{"t*j!uZg+b 规范保守赝势：-m6D6?A8_t
规范-保守赝势优化(Jq#lU
{Z{@i
超软赝势（ULTRASOFT PSEDUPOTENTIAL）}Hi[{{q'd
固体中超软赝势公式
M^*t[;Qnd EW%T"M 关于非线性核校正
iQXjC:o#| A Introduction to DFT bq:Xk~Yw
状态密度在Brillouin zone区的表示：+B;~F%U!S~.g5r:]$|
Brillouin zone积分取样
+{A;Fcz^4v8V/|\ x#b Monkhorst-Pack特殊点（ special points）
Y?)}oz2^(Q 计算材料学报告中应当注意的问题：\w{2N!OFMb_6yI
利用CASTEP模拟计算实例&m lz*p*ZI
一， 计算本征半导体硅的能带结构和状态密度等性质
ix/SKm 二，搀杂半导体InP性质计算
#j,t{!vT)k 三，FeS2性质计算3iyhr"_
G
四，三氧化二铝性质计算e,ye2}4{lcg6P
五，其他几种半导体材料能带结构的计算
MF3A;tV-V 六，MnN和MnAs自旋状态密度分布与晶体结构常数间的关系
c{8X3v"b ^ 七，孪晶界（twin boundary)的建立
:|#qw xC
R 八，DPD动力学模拟双相分离j|5O;h0`}Zl4[
关于LDA和GGA的比较
5`/y PhLf4A&s#b!{ 分子力场计算方法概论
/iT9v!{5k MS中分子力场支持的算法简介

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