siccashq 2007-09-19 17:18
筑波SEMINAR之八：纳米棒异质结的电荷转移发光
原文请见： [url]http://www.sciencenet.cn/blog/user_content.aspx?id=7536[/url]
我读的文章多是如果电荷转移的话，那么荧光必定要减弱或者消失，其原因是长时间分离的电子和空穴多以非辐射的方式将能量弛豫掉，当然还有因为能量转移的机理而形成近红外的发射峰。今天看到一篇文章，说是电荷转移导致了新的近红外荧光。我看了看作者的讨论，但是还是没有读出他们在说什么，或者说根本没有说清楚这个新发光峰的来源。我没有研究过硫属半导体纳米粒子，好像国内的高明远教授在这方面做了很多工作。熟悉这个领域的不妨说说话。
Nanorod Heterostructures Showing Photoinduced Charge Separation
Sandeep Kumar, Marcus Jones, Shun S. Lo, Gregory D. Scholes
Small，2007, 3, 1633.
我自己想了一个机理，猜测啊，CdSe是A分子，CdTe是B分子。光激发以后两者都形成激子，但是随之B分子的电子要跑到A分子导带上去，A分子的空穴要转移到B分子上去，如此解释了A，B两分子荧光淬灭的现象。最后A分子上的电子能和B分子上的空穴复合发出新的荧光，是什么因素导致这个复合过程是荧光形式而不是其他弛豫方式？估计和相近的晶格结构和价带结构有很大的关系。了解这个研究方向的过来拍一拍。现在突然发现我画的这个图居然和作者给出的GRAPHIC ABSTRACT的图很相似，但是奇怪为什么作者在文章里面不讨论这个问题。