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豆腐文摘(09/24)：SWNT PL Recovery on Substrates

[b][u][color=#ff00]JACS[/color][/u][/b]
[b]Photoluminescence Recovery from Single-Walled Carbon Nanotubes on Substrates[/b]
Liming Xie, Cui Liu, Jin Zhang, Yongyi Zhang, Liying Jiao, Lai Jiang,, Lun Dai, and Zhongfan Liu


[img]http://pubs.acs.org/isubscribe/journals/jacsat/asap/figures/ja074927bn00001.gif[/img]

Web Release Date: 22-Sep-2007; (Communication) DOI:[url=http://dx.doi.org/10.1021/ja074927b]10.1021/ja074927b[/url]
[url=http://pubs.acs.org/cgi-bin/abstract.cgi/jacsat/asap/abs/ja074927b.html]Abstract[/url]Full:[url=http://pubs.acs.org/cgi-bin/asap.cgi/jacsat/asap/html/ja074927b.html]HTML[/url]/[url=http://pubs.acs.org/cgi-bin/asap.cgi/jacsat/asap/pdf/ja074927b.pdf]PDF[/url](149K)[url=http://pubs3.acs.org/acs/journals/supporting_information.page?in_manuscript=ja074927b]Supporting Info[/url]

【简评】

量子产率本就不高的碳管的能带荧光很容易受到各种因素的干扰而被淬灭，所以通常这种荧光只能在单分散（基本上没有bundle）的“溶液”（用表面活性剂或者功能化分子）里或者是物理悬浮（吊在两个支撑点之间）被观察到。同理，直接CVD到底物（substrate）上的管子通常是看不到荧光的，而在这篇文章里，CVD到某底物上长出来的很长的单壁管用一种高分子“粘贴-转移”技术("peel andtransfer")转移到用不同长度的碳链修饰的SiO2表面 -单壁管的荧光此时显示出来（用Raman仪器）：碳链越长（18C>6C>2C），荧光效率越高（或者被淬灭程度越低）。

几个问题：
[list][*]文章没有对所激发的管子的(n,m)做出任何讨论；究竟可能是哪有几种管子被激发这个问题有没有意义？[*]不同碳链修饰的表面上显示的荧光峰值都有些许不同。这种不同有多少意义？[*]对于一个直径为~1.1-1.2nm的SWNT(根据SI的Raman RBM ~195cm-1计算)，它的E11发射峰应该在less than 1500nm，激发在700-800nm；而文中的激发为633 nm(He-Ne)，发射在1550 nm （Figure1的mapping是用的1580-1630nm的累积），这些是不是有些偏差？[/list]
请各位指正。

[b][u][color=#ff00]JPCC[/color][/u][/b]

[b]Novel Method to Evaluate the Carbon Network of Single-Walled Carbon Nanotubes by Hydrogen Physisorption[/b]
Shinya Iwata, Yoshinori Sato, Kouta Nakai, Shohei Ogura, Tatsuo Okano, Masaru Namura, Atsuo Kasuya, Kazuyuki Tohji, and Katsuyuki Fukutani

[img]http://pubs.acs.org/isubscribe/journals/jpccck/asap/figures/jp076275jn00001.gif[/img]

Web Release Date: 22-Sep-2007; (Letter) DOI:[url=http://dx.doi.org/10.1021/jp076275j]10.1021/jp076275j[/url]
[url=http://pubs.acs.org/cgi-bin/abstract.cgi/jpccck/asap/abs/jp076275j.html]Abstract[/url]Full:[url=http://pubs.acs.org/cgi-bin/asap.cgi/jpccck/asap/html/jp076275j.html]HTML[/url]/[url=http://pubs.acs.org/cgi-bin/asap.cgi/jpccck/asap/pdf/jp076275j.pdf]PDF[/url](310K)[url=http://pubs3.acs.org/acs/journals/supporting_information.page?in_manuscript=jp076275j]Supporting Info[/url]

【简评】
大家都知道氢分子在SWNT上的吸附位置和吸附能有密切关系。本文利用了这种不同，用测量低温下(10-40K)氢在纯化后的单壁管上的吸附量-温度变化图来试图表达其与SWNT的缺陷度的关系。这自然是个很有趣的办法来表征SWNT缺陷，但是对sp3/sp2 ratio来说用Raman肯定更简单直接些；然而，如果考虑到SWNT的bundle程度也许可以用此法表征（表面vs管间吸附），那么Raman是万万不行的。

回复 1# 的帖子

谢谢楼主的分享，很不错。不过纳米管的荧光性能不太熟悉。第一篇是一位熟人的新作，过去好像他也不熟悉荧光。第二篇的结果也很有意思。我把那个附图贴过来。文章没有仔细看，抽时间看看再说。
[img]http://img221.imageshack.us/img221/2920/jp076275jf0000412dcf7dyu4.jpg[/img]
Thermal desorption spectra of H2 from SWCNTs annealed at 1273 K in Ar for 1 h (a) and air-oxidized SWCNTs at 873 K (b).
[img]http://img219.imageshack.us/img219/3685/jp076275jf00002131a414lg9.jpg[/img]
High-resolution transmission electron microscopy images and thermal desorption spectra of H2 from as-purified SWCNTs (a and b), air-oxidized SWCNTs at 723 K (c and d), and air-oxidized SWCNTs at 823 K (e and f). Scale bar is 10 nm.

[[i] 本帖最后由 vanaxu 于 2007-09-26 09:40 编辑 [/i]]