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请问，500微米厚的硅片有什么办法可以刻穿？

管道最好控制在几个微米以下，干法刻蚀好像不大可能，湿法的话，可以吗？请大虾指教。非常感谢！

你对孔道大小有要求吗?
os Ex(e0t 如果没有,可以试一下光电化学刻蚀法( V. Lehmann, H. Föll. Formation J. Electrochem. Soc., 1990, 137(2), 653-659 ; V. Lehmann. J. Electrochem. Soc., 1993, 140(10), 2836-2843);qEJd)p| I
如果有,就需要特定大小孔径的掩膜板盖上,然后用HF酸刻蚀.

我想是能够控制最好，如果控制不了，那也就算了。N^X ck7|bMr

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H2_-A!J 你说用HF， 为什么不用KOH？ KOH各向异性的刻蚀，是不是在背面得到的孔道尺寸可以小很多？
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还有一个问题，是500微米的厚度，要几个小时的刻蚀时间，这个背面保护层要怎么选择了？
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谢谢！

KOH湿法腐蚀是最容易想到的想法，但是lz要求管道几个微米，呵呵，恐怕实现不了。
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x]8ov5{0g%V\?l|9@"n 准分子激光刻蚀怎么样？我想要是刻长径比在1000左右孔道还真不好说了，不过可以试一试。
u{NtQ4ft)`!v 要么就是聚焦离子束，但是恐怕楼主掏不起钱，估计几千块不止。/@FL6s'E6u
再有就是传统的干法刻蚀，要选择比高的淹没，高的刻蚀速率，但是要刻掉500micron也男。
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S)Yzc F(j2^ O 综上所述，应该选择湿法腐蚀（HF或KOH）方法先对局部大范围的减薄，然后用高各向异性的方法（比如准分子激光、聚焦离子束或干法刻蚀）。

先用凹坑机凹一个坑，然后用离子减薄仪去减薄、打洞