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TiSi2 纳米电缆的合成和电学性能

【纳米科技世界快讯】北大物理系的工作，通过简单PVD的方法可在较大基底上制备出均匀性好的内层为高质量单晶TiSi2外层覆盖无定形SiO2绝缘薄层的纳米电缆，并研究了其电学性能，指出此纳米电缆在纳米器件的电学互联上有潜在应用前景。@d%@Bv:H

b/}Q9CWGw(o Appl. Phys. Lett. 92, 253102 (2008) Published 23 June 2008 jI1r%yUN
[url]http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/253102/1[/url]